采用黑硅材料制备出的电池效率达到18.97%，突破了国际上同类结构电池的最高水平。

　　日前，复旦大学光科学与工程系陆明课题组通过在p型单晶Si(100)上扩散磷制备pn结，利用化学刻蚀方法在n型发射极中形成多孔黑硅，并利用该种黑硅材料制备出高效太阳能电池。

　　由于硅纳米晶带隙高于晶硅，该黑硅电池的开路电压也就高于相应的平面硅电池。而且，发射极的梯度带隙结构还抑制了前表面电子和空穴的复合。由于短波长范围吸收度高，因此短波长处的光伏响应也较好。

　　据悉，这一相关研究成果已发表于《纳米技术》，同时入选《纳米技术选集》。

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